| ชื่อโครงการวิจัย/ชื่อเรื่อง |
การพัฒนาพลาสมาเจ็ตแบบหลายรูสำหรับเคลือบฟิล์มซิงค์อ็อกไซด์เจืออลูมินัมบนวัสดุยืดหยุ่น |
| ชื่อนักวิจัย/ชื่อผู้แต่ง |
ผศ.ดร.อาทิตย์ ฉิ่งสูงเนิน |
| คำสำคัญ |
ออกไซด์นำไฟฟ้าโปร่งแสง;ฟิล์มซิงค์ออกไซด์เจืออลูมินัม;การตกสะสมของไอโลหะอินทรีย์เชิงเคมี (MOCVD) |
| หน่วยงาน |
ภาควิชาฟิสิกส์ คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยมหาสารคาม จ.มหาสารคาม 44150 โทร. 043-754322 ต่อ 1117 e-mail: artit.ching@gmail.com |
| ปีที่เผยแพร่ |
2559 |
| คำอธิบาย |
งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อพัฒนาเทคนิคการเคลือบฟิล์มซิงค์ออกไซด์เจืออลูมินัมเพื่อนำไปประยุกต์ใช้เป็นขั้วไฟฟ้าโปร่งแสงทดแทนขั้วไฟฟ้าโปร่งแสงในกลุ่มอินเดียมทินออกไซด์ที่ปัจจุบันเหลือน้อยและมีราคาแพง โดยเลือกใช้เทคนิคการเตรียมฟิล์มซิงค์ออกไซด์เจือด้วยอลูมินัมด้วยวิธีการตกสะสมของไอโลหะอินทรีย์ เพราะสามารถเตรียมได้ที่ความดันบรรยากาศ ลดต้นทุนเกี่ยวกับระบบสุญญากาศ ซึ่งพบว่าภายใต้อุณหภูมิแผ่นฐานในช่วง 400 – 500 oC และสัดส่วนอัตราการไหลของไอน้ำ ออกซิเจน และไอโลหะอินทรีย์ที่เหมาะสมจะสามารถเตรียมฟิล์ม AZO ที่มีความโปร่งแสงและนำไฟฟ้าได้ และตอนสุดท้ายได้ทำการเคลือบฟิล์ม AZO ด้วยเทคนิค PE-MOCVD ซึ่งเป็นเทคนิคที่ใช้พลาสมาที่ความดันบรรยากาศช่วยในการตกสะสม พบว่าฟิล์ม AZO มีความหนามากกว่าตอนอื่นๆ จึงแสดงให้เห็นว่าพลาสมาสามารถช่วยเพิ่มอัตราการตกสะสมได้ แต่ฟิล์มกลับมีสภาพต้านทานไฟฟ้าสูงกว่าตอนอื่นๆ ที่ผ่านมา เนื่องจากอุณหภูมิของแผ่นฐานไม่ถึงจุดที่ฟิล์มจะสามารถก่อตัวได้อย่างเป็นระเบียบ ฟิล์มที่เกิดขึ้นก็จะไม่มีคุณภาพนั่นเอง |
| สาขาการวิจัย |
|
